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砷化镓单晶炉
- 更新时间：2016-09-18
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陈庆建 先生（销售部经理）
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VGF 、HB 、HGF 、 VB
产品特点：
★用于GaAs等化合物晶体的生长 ★按结构形式:垂直生长,水平生长
★按生长方式:梯度生长及移动生长 ★晶体生长尺寸: 2-6寸
★设备分类:HB 、HGF 、VGF 、 VB ★提供的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。
主要技术指标：
★结构型式：单管水平式，加热炉体可左右移动 ★适合2~4″晶体生长工艺（可定制）。
★炉体有效加热长度:1600mm ★高工作温度：1300℃
★恒温区精度（静态闭管）：±0.5℃
★升温速率（室温~1260℃）：斜变升温速率可控在0~15℃/min
★降温（1300℃~900℃）：0~5℃/min ★供电电源：三相五线~380V±10% 50Hz
