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2024年11月22日 星期五

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  • 砷化镓VGF法单晶炉

  • 更新时间:2016-09-18
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    陈庆建 先生(销售部经理

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详细信息

产品应用:主要用于2~6英寸锗单晶、砷化镓等化合物晶体的生长

产品特点:
◆工业计算机控制系统(WINDOWS 系统界面,操作方便简洁)
◆关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性
◆控温精度高,温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种保护功能
◆晶体生长均匀性好、重复性高
主要技术指标
◆工作温度:600~1280℃
◆适应晶体尺寸:2~6英寸
◆装料量:10Kg/炉
◆加热控制:7段控制
◆温区长度:800mm±0.5℃(1000~1280℃)
◆大升温速率:15℃/min
◆升降行程:900mm
◆小升降速率(VB):0.1mm/h
   配套设备:合成炉、铸锭炉、脱氧封管炉等

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